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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
32
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
32
Velocità di lettura, GB/s
12.7
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2714
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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