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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
32
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
32
Velocità di lettura, GB/s
12.7
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2563
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
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