RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
53
Intorno 47% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
53
Velocità di lettura, GB/s
12.7
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2703
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
UMAX Technology 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link