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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Motivi da considerare
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
26
Velocità di lettura, GB/s
12.7
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2406
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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