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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
28
Velocità di lettura, GB/s
12.7
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2696
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
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