RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
32
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
8500
Intorno 3.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
32
Velocità di lettura, GB/s
12.7
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
25600
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2733
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link