RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
39
Intorno 28% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
39
Velocità di lettura, GB/s
12.7
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2680
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link