RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
34
Intorno 18% latenza inferiore
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.9
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
8500
Intorno 3.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
34
Velocità di lettura, GB/s
12.7
19.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
25600
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3271
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link