RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
33
Intorno 15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
11.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
33
Velocità di lettura, GB/s
12.7
11.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2284
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NF-CG 2GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link