RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
34
Intorno 18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
10.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
34
Velocità di lettura, GB/s
12.7
10.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2237
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link