RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
36
Intorno 22% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
36
Velocità di lettura, GB/s
12.7
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2589
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link