RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
36
Intorno 22% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
36
Velocità di lettura, GB/s
12.7
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2474
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Confronto tra le RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link