RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
54
Intorno 48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
10.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
8500
Intorno 2.75 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
54
Velocità di lettura, GB/s
12.7
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
23400
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2259
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link