RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
28
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
27
Velocità di lettura, GB/s
12.7
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3528
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link