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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Motivi da considerare
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
28
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
24
Velocità di lettura, GB/s
12.7
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2761
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
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