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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
52
Intorno 46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.5
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
52
Velocità di lettura, GB/s
12.7
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2306
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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