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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
54
Intorno 48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
10
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
54
Velocità di lettura, GB/s
12.7
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2354
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
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