RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
38
Intorno 26% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
8500
Intorno 3.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
38
Velocità di lettura, GB/s
12.7
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
25600
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2382
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link