RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
33
Intorno 15% latenza inferiore
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
33
Velocità di lettura, GB/s
12.7
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2524
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link