RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
40
Intorno 13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
8.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
40
Velocità di lettura, GB/s
14.4
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
2204
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link