Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Средняя оценка

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 40

Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.4 13.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.5 8.9

Среднее значение в тестах

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

35 40
Скорость чтения, Гб/сек

14.4 13.3
Скорость записи, Гб/сек

9.5 8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2321 2204

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB

модули RAM

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB

Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB

Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB

Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Kingston XRMWRN-MIE 16GB

Kingston XRMWRN-MIE 16GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Kingston 9905624-046.A00G 8GB

Kingston 9905624-046.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB

модули RAM

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

модули RAM