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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
35
Intorno -6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
33
Velocità di lettura, GB/s
14.4
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
2806
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
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