RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
46
Intorno -15% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
3200
Intorno 8 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
40
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
25600
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3180
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link