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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
46
Por volta de -15% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
3200
Por volta de 8 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
40
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
13.7
Largura de banda de memória, mbps
3200
25600
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3180
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
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