RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
46
Rund um -15% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
3200
Rund um 8 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
13.7
Speicherbandbreite, mbps
3200
25600
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3180
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link