RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
35
Intorno -84% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
19
Velocità di lettura, GB/s
14.4
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
2845
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link