RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
35
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.6
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.1
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
29
Velocità di lettura, GB/s
14.4
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
16.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
3639
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link