RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3639
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M4A1866C9 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link