RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
35
Intorno -6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.8
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
33
Velocità di lettura, GB/s
14.4
19.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
3364
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link