RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
35
Por volta de -6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.8
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
33
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
19.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
13.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
3364
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Relatar um erro
×
Bug description
Source link