RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
35
Intorno -75% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.3
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
20
Velocità di lettura, GB/s
14.4
20.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
3632
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link