RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
35
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
20
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3632
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link