RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
9.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
35
Intorno -25% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
28
Velocità di lettura, GB/s
14.4
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
2625
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link