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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
9.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 -25% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
28
读取速度,GB/s
14.4
13.6
写入速度,GB/s
9.5
9.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2625
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
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