RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
35
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
23
Velocità di lettura, GB/s
14.4
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
3195
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link