RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
35
Intorno -106% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.6
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.7
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
17
Velocità di lettura, GB/s
14.4
21.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
17.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
3702
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link