RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
35
Около -106% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.6
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.7
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
17
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
21.6
Скорость записи, Гб/сек
9.5
17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
3702
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
AMD AE34G1601U1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link