RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
35
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
22
Velocità di lettura, GB/s
14.4
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
3036
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link