RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
35
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
22
Velocità di lettura, GB/s
14.4
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
3036
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link