RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
12.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
104
Intorno -154% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
2,404.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
41
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
12.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2501
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link