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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
35
Velocità di lettura, GB/s
14.4
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
2580
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
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