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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre 8GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kllisre 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Kllisre 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
46
Intorno 24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
8.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kllisre 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
46
Velocità di lettura, GB/s
14.4
11.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
2349
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kllisre 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
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