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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kllisre 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Kllisre 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
46
左右 24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
46
读取速度,GB/s
14.4
11.7
写入速度,GB/s
9.5
8.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2349
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kllisre 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
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