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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
46
左右 -39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.8
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
33
读取速度,GB/s
2,909.8
17.2
写入速度,GB/s
1,519.2
14.8
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3595
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
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