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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
42
左右 -133% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.1
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
18
读取速度,GB/s
9.7
20.4
写入速度,GB/s
6.0
18.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3529
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Kingston 9905701-010.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
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