Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Pontuação geral
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Pontuação geral
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    18 left arrow 42
    Por volta de -133% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    20.4 left arrow 9.7
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    18.1 left arrow 6.0
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 10600
    Por volta de 1.81 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    42 left arrow 18
  • Velocidade de leitura, GB/s
    9.7 left arrow 20.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    6.0 left arrow 18.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1396 left arrow 3529
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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