RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
38
Intorno 8% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
38
Velocità di lettura, GB/s
14.4
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
3005
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Confronto tra le RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link