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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

总分
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

总分
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    35 left arrow 38
    左右 8% 更低的延时
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB 需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15 left arrow 14.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.5 left arrow 9.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    35 left arrow 38
  • 读取速度，GB/s
    14.4 left arrow 15.0
  • 写入速度，GB/s
    9.5 left arrow 12.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2321 left arrow 3005

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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内存RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
内存RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
内存RAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
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内存RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
内存RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
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内存RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Kingston KYXC0V-MIH 16GB
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内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
内存RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
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内存RAM