RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
58
Intorno 40% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
9.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
14.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
58
Velocità di lettura, GB/s
14.4
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
1968
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link