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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
58
左右 40% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
9.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.7
14.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
58
读取速度,GB/s
14.4
17.7
写入速度,GB/s
9.5
9.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
1968
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
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G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
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