RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
35
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
26
Velocità di lettura, GB/s
14.4
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
2544
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link